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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gesamtnote
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
12.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
73
Rund um -128% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
1,423.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
73
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,510.5
12.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,423.3
9.1
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
476
2585
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVT8FP-HYC 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
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