RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gesamtnote
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
73
Rund um -109% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
1,423.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
73
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,510.5
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,423.3
11.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
476
2699
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link