RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
73
Wokół strony -109% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2699
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link