RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
73
Rund um -181% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.2
1,423.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
73
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,510.5
18.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,423.3
15.2
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
476
3666
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link