RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
73
Rund um -128% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.6
1,423.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
73
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,510.5
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,423.3
11.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
476
2920
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link