RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
73
Rund um -87% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.0
1,423.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
73
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,510.5
14.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,423.3
15.0
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
476
3233
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link