RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
73
Около -87% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.0
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
39
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
14.9
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
3233
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link