RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
73
Rund um -217% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
1,423.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
73
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,510.5
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,423.3
13.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
476
2545
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link