RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Compara
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
73
En -217% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
23
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
2545
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link