RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gesamtnote
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
73
Rund um -143% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
1,423.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
5300
Rund um 4.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
73
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,510.5
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,423.3
10.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
25600
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
476
3026
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link