RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Compara
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Puntuación global
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
73
En -143% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
1,423.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
30
Velocidad de lectura, GB/s
3,510.5
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,423.3
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
476
3026
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link