RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gesamtnote
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
73
Rund um -135% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
1,423.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
73
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,510.5
14.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,423.3
11.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
476
2199
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link