RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
73
Wokół strony -135% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
2199
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link