RAM-Vergleich Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB

Gesamtnote

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

3 19.1

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

28 73

Rund um -161% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

16.2 1,423.3

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

21300 5300

Rund um 4.02 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit

5-5-5-15 / 667 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

476 3562

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns