RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
73
Около -161% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.2
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
19.1
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
3562
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link