RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
69
Rund um -109% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.6
1,441.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,325.1
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,441.2
15.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
525
3510
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link