RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Comparez
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Note globale
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Note globale
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
69
Autour de -109% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.6
1,441.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
33
Vitesse de lecture, GB/s
3,325.1
17.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,441.2
15.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
525
3510
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link