RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
69
Rund um -109% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.6
1,441.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,325.1
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,441.2
11.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
525
2907
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Smart Modular SH564128FH8N0QHSCG 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link