RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
69
Rund um -165% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
1,441.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,325.1
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,441.2
10.1
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
525
3025
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link