RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
69
Wokół strony -165% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
3025
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link