RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
69
Rund um -116% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
1,441.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,325.1
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,441.2
13.0
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
525
3278
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Samsung M471B5773EB0-CK0 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link