RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
69
Wokół strony -116% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
3278
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kllisre 0000 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link