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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
69
Rund um -138% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
1,441.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,325.1
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,441.2
8.4
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
525
2458
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Mushkin 991586 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
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