RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
20.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
18
69
Rund um -283% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.3
1,441.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
18
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,325.1
20.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,441.2
16.3
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
525
3575
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link