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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
比较
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
总分
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
总分
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
20.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
18
69
左右 -283% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
16.3
1,441.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
18
读取速度,GB/s
3,325.1
20.5
写入速度,GB/s
1,441.2
16.3
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
525
3575
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
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Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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