Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB

Gesamtnote
star star star star star
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Gesamtnote
star star star star star
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB

InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB

Unterschiede

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3 left arrow 18.3
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    32 left arrow 69
    Rund um -116% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    14.9 left arrow 1,441.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 5300
    Rund um 4.02 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    69 left arrow 32
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3,325.1 left arrow 18.3
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    1,441.2 left arrow 14.9
  • Speicherbandbreite, mbps
    5300 left arrow 21300
Other
  • Beschreibung
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    525 left arrow 3149
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche