RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
19.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
14.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
104
Rund um -235% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
19.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
14.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
3357
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link