RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
14.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
104
Около -235% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
19.9
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3357
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link