RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Confronto
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Punteggio complessivo
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
19.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,404.5
14.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
104
Intorno -235% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
104
31
Velocità di lettura, GB/s
3,192.0
19.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,404.5
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
786
3357
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Kingston 9905403-151.A00LF 2GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology ADOVE1B163BE 2GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link