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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
69
Rund um -176% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.9
1,441.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,325.1
12.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,441.2
6.9
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
525
2068
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
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