RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
12.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
69
Wokół strony -176% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.9
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
12.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2068
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link