RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
13.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
69
Rund um -82% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.5
1,441.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,325.1
13.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,441.2
10.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
525
2400
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link