RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
69
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
38
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2400
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link