RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
53
69
Rund um -30% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
1,441.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
53
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,325.1
10.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,441.2
8.0
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
525
2319
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link