RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
53
69
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
53
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
10.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
2319
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Team Group Inc. Team--Elite-1600 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link