RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
20.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
69
Rund um -263% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.2
1,441.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,325.1
20.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,441.2
17.2
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
525
3681
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R948G2806U2S 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link