RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
68
Rund um -94% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
1,702.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
68
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,886.6
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,702.6
11.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
654
2926
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link