RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Gesamtnote
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
18.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
92
Rund um -318% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.2
1,266.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
92
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,105.4
18.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,266.1
14.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
339
3392
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology CT51264AA667.M16FC 4GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link