RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Compara
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Puntuación global
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
18.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
92
En -318% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
1,266.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
92
22
Velocidad de lectura, GB/s
2,105.4
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,266.1
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
339
3392
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link