RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
68
Wokół strony -94% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
1,702.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
68
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,886.6
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,702.6
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
654
2926
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Mushkin 991586 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link