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Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB vs Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Gesamtnote
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
35
Rund um -52% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
15.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
13.4
Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
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Absolute Latency
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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