Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB против Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

Средняя оценка

Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB

Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

Причины выбрать
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

21300 19200

Около 1.11% выше полоса пропускания

Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB

Причины выбрать
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

23 35

Около -52% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.4 15.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.4 11.8

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

35 23
Скорость чтения, Гб/сек

15.7 17.4
Скорость записи, Гб/сек

11.8 13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

21300 19200

Other

Описание

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2767 3063

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB

Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB

модули RAM

Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB

Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB

модули RAM

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Kingston 9905744-062.A00G 32GB

Kingston 9905744-062.A00G 32GB

модули RAM

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Kingston 9905624-044.A00G 8GB

Kingston 9905624-044.A00G 8GB

модули RAM

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB

Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB

G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Kingston 9905624-046.A00G 8GB

Kingston 9905624-046.A00G 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB

G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A

Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB

Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB

модули RAM

Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB

Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB

A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB

A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB

A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB

Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB

Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB

модули RAM