RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Gesamtnote
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
24
Rund um -9% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
18.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
12.8
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2196
3205
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link