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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Comparez
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Note globale
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Note globale
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
24
Autour de -9% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.4
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
22
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
18.4
Vitesse d'écriture, GB/s
10.6
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17000
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2196
3205
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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