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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
比较
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
总分
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
总分
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
24
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
10.6
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
24
22
读取速度,GB/s
14.9
18.4
写入速度,GB/s
10.6
12.8
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2196
3205
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
UMAX Technology 16GB
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