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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
比较
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
总分
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
总分
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
24
左右 -9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
10.6
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
24
22
读取速度,GB/s
14.9
18.4
写入速度,GB/s
10.6
12.8
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2196
3205
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
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