RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
27
Rund um 11% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.1
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.0
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
18.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
16.0
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2196
3672
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link