RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Compara
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Puntuación global
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
27
En 11% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.1
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.0
10.6
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
27
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
10.6
16.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2196
3672
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM2L16BC8R2-B0XS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link