RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
10.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
38
Rund um -9% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
10.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
8.1
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2283
1998
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link