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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Compara
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Puntuación global
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
10.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
38
En -9% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
35
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
10.5
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2283
1998
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
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