RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
38
Rund um -3% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
12.7
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2283
2971
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link